5月15日，从比亚迪半导体官方获悉，比亚迪半导体Xi R&D中心即将开业。
据悉，比亚迪半导体在中国有五个R&D及制造基地，分别是深圳、惠州、宁波、长沙和Xi安。
位于Xi安的半导体R&D中心将配备近1000支R&D团队，这是比亚迪半导体精心布局的全新R&D基地，承担着启动新一轮半导体创新研发的使命
比亚迪半导体将充分利用Xi安在集成电路方面的人才资源、供应链资源和客户资源，主要从事功率半导体、智能传感器和智能控制IC等半导体产品的设计和服务，进一步提升公司的产品研发和技术实力。
据悉，继2018年宁波发布IGBT4.0芯片技术后，比亚迪半导体抛光了一款性能更高的IGBT6.0芯片，计划在比亚迪半导体Xi R&D中心发布。
据了解，自2002年进入半导体领域以来，比亚迪半导体于2009年在中国推出了首款自主研发的IGBT芯片，并于2018年推出了IGBT4.0芯片，为国产高端汽车IGBT树立了新的标杆。
到2020年底，已经装载了100多万台车辆级动力装置，主要是IGBT，单车里程已超过100万公里。
经过细化的平面网格设计，在同等工况下，IGBT4.0芯片的综合损耗比市场主流产品降低20%左右，整车功耗显著降低。
比亚迪半导体表示，IGBT6.0芯片采用新一代自主研发的高密度沟槽栅技术，与同类产品相比，将在可靠性和产品性能上实现重大突破，达到国际领先水平。
据资料显示，IGBT(绝缘栅双极晶体管)是一种大功率电力电子器件，主要用于逆变器等逆变电路，将DC电压转换成频率可调的交流电，俗称电力电子器件的“CPU”。
IGBT是新能源汽车的核心技术，其质量直接影响到电动汽车的动力释放速度：它直接控制着DC与AC之间的转换，同时它控制着AC电机的变频，这决定了驱动系统的扭矩(直接影响到车辆的加速能力)和最大输出功率(直接影响到车辆的最大速度)。
IGBT芯片晶片
